Evaluation of Superjunction MOSFETs in Cascode Configuration for Hard-Switching Operation
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
evaluation of sadr eminence in safavid period
چکیده: یکی از دوره های مهم تاریخی ایران به لحاظ تأمین استقلال ملی مذهبی و حتی تأثیر آن بر فرهنگ و مذهب ایرانیان، دوره صفویه است. رسمیت دادن و رواج مذهب شیعه توسط شاه اسماعیل اول، یکی از مهمترین اقدامات این دولت محسوب می شود. بنابراین برای اجرای این سیاست، وی منصب صدارت را به عنوان منصبی مذهبی- حکو متی ایجاد کرد .این منصب از دوره ی تیموریان ایجاد شده بود ولی در اواخر این دوره اهمیت بیشتری یافت...
15 صفحه اولPower MOSFET Basics: Understanding Superjunction Technology
Power MOSFETs based on superjunction technology have become the industry norm in high-voltage switching converters. They offer lower RDS(on) simultaneously with reduced gate and output charges, which allows for more efficient switching at any given frequency. Prior to the availability of superjunction MOSFETs the dominant design platform for high-voltage devices was based on planar technology. ...
متن کاملPerformance Evaluations of Hard-Switching Interleaved DC/DC Boost Converter with New Generation Silicon Carbide MOSFETs
The emergence of PV inverter and Electric Vehicles (EVs) has created an increased demand for high power densities and high efficiency in power converters. Silicon carbide (SiC) is the candidate of choice to meet this demand, and it has, therefore, been the object of a growing interest over the past decade. The Boost converter is an essential part in most PV inverters and EVs. This paper present...
متن کاملCascode Configuration Eases Challenges of Applying SiC JFETs
After explaining the basic operation of a SiC JFET plus silicon MOSFET cascode circuit, the dynamics of cascode switching will be discussed and the use of a QRR tester to evaluate the reverse-recovery characteristics of a cascode circuit will be explained. A comparison of the cascode’s reverse recovery with that of a SiC MOSFET reveals that the JFET cascode actually performs better than the SiC...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: IEEE Transactions on Power Electronics
سال: 2018
ISSN: 0885-8993,1941-0107
DOI: 10.1109/tpel.2017.2761823